拉曼光譜儀

　　共聚焦拉曼光譜儀3大優(yōu)勢：

　　1、*的靈活性：

　　共聚焦拉曼光譜儀另一個(gè)*的優(yōu)勢就是可在系統中配備一個(gè)附加出口。用雙出口選項，可多配備一個(gè)紅外InGaAs陣列，ICCD，PMT或其它專(zhuān)業(yè)單道探測器。實(shí)際上，該系統有很寬的激光光源適應能力和多探測器選項，能提供很寬的光譜范圍或進(jìn)行時(shí)域分析。

　　近紅外探測器對于在830納米或1064納米激發(fā)下的發(fā)光測量（例如對于半導體材料）和拉曼分析等特別有用。這兩種應用下的光譜都在標準硅器件CCD探測器的測量范圍之外，例如，一些重要的III－V族半導體材料的重要信息在1100納米和1300納米區域，不在硅器件的敏感探測區。用其它的探測器（如InGaAs或Ge探測器），就很容易實(shí)現這個(gè)區域的測量.

　　2、高分辨：

　　共聚焦拉曼光譜儀具有800毫米的光譜儀焦長(cháng)，其所能達到的分辨率約為標準300毫米焦長(cháng)拉曼譜儀的3倍，比250毫米焦長(cháng)的老式設計拉曼譜儀更高。從下圖可以清楚地看到，用高分辨率系統采集的譜圖有更多的數據點(diǎn)，在進(jìn)行微小的拉曼峰移分析時(shí)，比短焦長(cháng)系統準確的多。同時(shí)用HR系統能更準確地給出拉曼譜峰的峰形這一重要的參數，峰位和峰形都能表征重要的樣品變化。

　　3、應力引起的拉曼位移：

　　共聚焦拉曼光譜儀是一種理想的應用測量工具。左圖中固體相硅應力拉曼分析表明可識別出0.3cm-1的拉曼峰移。半導體器件中的新型SOI和SiGe薄膜具有類(lèi)似的小峰位和峰形改變，非常適合用共聚焦拉曼光譜儀進(jìn)行測量。